Produktdetails:
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Produktname: | Netzschaltertransistor | Modell: | AP12N10D |
---|---|---|---|
Satz: | TO-252 | Markierung: | AP12N10D |
VDSDrain-Quellspannung: | 100V | VGSGate-Source Spannung: | ±20A |
Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
AP12N10D-Netzschalter-Transistor, ursprünglicher Silikon-Leistungstransistor
Allgemeine Beschreibung:
Die moderne Grabentechnologie AP12N10D-Gebrauches
zu ausgezeichnetes RDS (AN), niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen und
Operation mit den Torspannungen so niedrig wie 4.5V. Dieses
Gerät ist für Gebrauch als a passend
Batterieschutz oder in anderer Schaltungsanwendung.
Allgemeine Eigenschaften
VDS = 100V IDENTIFIKATION = 5A
RDS (AN) < 140m="">
Anwendung
Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
AP12N10D | TO-252 | AP12N10D | 3000 |
Absolute Maximalleistungen an Tj=25℃ wenn nicht anders vermerkt
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Lassen Sie Quellspannung ab | VDS | 100 | V |
Gate-Source-Spannung | VGS | ±20 | V |
Ununterbrochener Abflussstrom, ℃ TC=25 | Identifikation | 12 | A |
Pulsierter Abflussstrom, ℃ T =25 | Identifikation, Impuls | 24 | A |
Verlustleistung, ℃ T C=25 |
P D |
17 | W |
Sondern Sie pulsierte Lawinenenergie 5) aus | EAS | 1,2 | mJ |
Operation und Lagertemperatur | Tstg, Tj | -55 bis 150 | ℃ |
Thermischer Widerstand, Kreuzungfall | RθJC | 7,4 | ℃/W |
Thermischer Widerstand, junction-ambient4) | RθJA | 62 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften am ℃ Tj=25 wenn nicht anders angegeben
Symbol | Parameter | Testbedingung | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | V =0 V, μA ID=250 | 100 | V | ||
VGS (Th) | Torschwellenspannung | V =V, μA ID=250 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
RDS (AN) | Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS (AN) | Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | V =4.5 V, ID=3 A | 140 | 180 | mΩ | |
IGSS |
Tor-Quelldurchsickernstrom |
V =20 V | 100 |
Na |
||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickernstrom | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | MA | ||
Ciss | Inputkapazitanz | V =0 V, | 206,1 | PF | ||
Coss | Ausgangskapazität | 28,9 | PF | |||
Crss | Rückübergangskapazitanz | 1,4 | PF | |||
TD (an) | Einschaltverzögerungszeit |
VGS=10 V, VDS=50 V, |
14,7 | ns | ||
tr | Anstiegszeit | 3,5 | ns | |||
TD (weg) | Abschaltverzögerungszeit | 20,9 | ns | |||
t f |
Abfallzeit | 2,7 | ns | |||
Qg | Gesamttorgebühr | 4,3 | nC | |||
Qgs | Tor-Quellgebühr | 1,5 | nC | |||
Qgd | Tor-Abflussgebühr | 1,1 | nC | |||
Vplateau | Torhochebenenspannung | 5,0 | V | |||
IST | Diode schicken Strom nach |
VGS |
7 |
A |
||
ISP | Pulsierter Quellstrom | 21 | ||||
VSD | Diodenvorwärtsspannung | IS=7 A, VGS=0 V | 1,0 | V | ||
t Eisenbahn |
Rückgenesungszeit | 32,1 | ns | |||
Qrr | Rückwiederaufnahmegebühr | 39,4 | nC | |||
Irrm | Höchstsperrverzögerungsstrom | 2,1 | A |
Symbol | Parameter | Testbedingung | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | V =0 V, μA ID=250 | 100 | V | ||
VGS (Th) | Torschwellenspannung | V =V, μA ID=250 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
RDS (AN) | Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS (AN) | Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | V =4.5 V, ID=3 A | 140 | 180 | mΩ | |
IGSS |
Tor-Quelldurchsickernstrom |
V =20 V | 100 |
Na |
||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickernstrom | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | MA | ||
Ciss | Inputkapazitanz | V =0 V, | 206,1 | PF | ||
Coss | Ausgangskapazität | 28,9 | PF | |||
Crss | Rückübergangskapazitanz | 1,4 | PF | |||
TD (an) | Einschaltverzögerungszeit |
VGS=10 V, VDS=50 V, |
14,7 | ns | ||
tr | Anstiegszeit | 3,5 | ns | |||
TD (weg) | Abschaltverzögerungszeit | 20,9 | ns | |||
t f |
Abfallzeit | 2,7 | ns | |||
Qg | Gesamttorgebühr | ID=5 A, VDS=50 V, VGS=10 V |
4,3 | nC | ||
Qgs | Tor-Quellgebühr | 1,5 | nC | |||
Qgd | Tor-Abflussgebühr | 1,1 | nC | |||
Vplateau | Torhochebenenspannung | 5,0 | V | |||
IST | Diode schicken Strom nach |
VGS |
7 |
A |
||
ISP | Pulsierter Quellstrom | 21 | ||||
VSD | Diodenvorwärtsspannung | IS=7 A, VGS=0 V | 1,0 | V | ||
t Eisenbahn |
Rückgenesungszeit | IS=5 A, di/dt=100 A/μs |
32,1 | ns | ||
Qrr | Rückwiederaufnahmegebühr | 39,4 | nC | |||
Irrm | Höchstsperrverzögerungsstrom | 2,1 | A |
Aufmerksamkeit
1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.
2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.
3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.
4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.
5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.
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7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.
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Ansprechpartner: David