Produktdetails:
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Produktname: | N-Kanal Mosfet-Energie | Modell: | AP3N10BI |
---|---|---|---|
Markierung: | MA4 | Satz: | SOT23 |
VDSDrain-Quellspannung: | 100V | VGSGate-Source Spannung: | ±20A |
Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Niederspannung 100V des Anreicherungstyp-N
N-Kanal Mosfet-Energie Funktion und Eigenschaften
Der Bau des Energie MOSFET ist in den V-Konfigurationen, wie wir in der folgenden Zahl sehen können. So wird das Gerät auch als das V-MOSFET oder das V-FET genannt. Das v, welches die Form von Energie MOSFET geschnitten wird, um von der Gerätoberfläche einzudringen, ist fast zum N+-Substrat zum N+, zum P und zum N – Schichten. Die N+-Schicht ist die schwer lackierte Schicht mit einem niedrigen widerstrebenden Material und die n-Schicht ist eine leicht lackierte Schicht mit der hohen Widerstandregion.
N-Kanal Mosfet-Energie-Eigenschaften
VDS= 100V I D=2.8 A
RDS (AN)< 320m="">
N-Kanal Mosfet-Energie-Anwendung
Batterieschutz
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
AP3N10BI | SOT23 | MA4 | 3000 |
Absolute Maximalleistungen (TC=25℃ wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Veranschlagen | Einheiten |
VDS | Abfluss-Quellspannung | 100 | V |
VGS | Tor-Sou rce Spannung | ±20 | V |
ID@TA =25℃ | Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 | 2,8 | A |
ID@TA =70℃ | Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 | 1 | A |
IDM | Pulsierter Abfluss Current2 | 5 | A |
℃ PD@TA =25 | Gesamtleistung Dissipation3 | 1 | W |
TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
RθJA | Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 | 125 | ℃/W |
RθJC | Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 | 80 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (℃ TJ =25, wenn nicht anders vermerkt)
Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperatur-Koeffizient | Hinweis auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (Th) | Temperatur-Koeffizient VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | MA |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern-Strom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Tor-Widerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Gesamttor-Gebühr (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Tor-Quellgebühr | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Tor-Abfluss-Gebühr | --- | 1,7 | 2,4 | ||
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
ns |
Tr | ||||||
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Abfallzeit | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Input-Kapazitanz | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Ausgangskapazität | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Rückübergangskapazitanz | --- | 16,4 | 23 | ||
IST | Ununterbrochener Quellstrom 1,4 | VG=VD=0V, Kraft-Strom | --- | --- | 1,2 | A |
THEORIE | Pulsierter Quellstrom 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | Diode schicken Voltage2 nach | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Rückgenesungszeit | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | nS |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | --- | 9,3 | --- | nC |
Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
△ BVDSS/△TJ | BVDSS-Temperatur-Koeffizient | Hinweis auf 25℃, ID=1mA | --- | 0,067 | --- | V/℃ |
RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand | VGS=10V, I D=1A | --- | 260 | 310 |
mΩ |
VGS=4.5V, I D=0.5A | --- | 270 | 320 | |||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VGS=VDS, I =250UA | 1,0 | 1,5 | 2,5 | V |
△VGS (Th) | Temperatur-Koeffizient VGS (Th) | --- | -4,2 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | MA |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 5 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern-Strom | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | Na |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS=5V, ID=1A | --- | 2,4 | --- | S |
Rg | Tor-Widerstand | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2,8 | 5,6 | |
Qg | Gesamttor-Gebühr (10V) | --- | 9,7 | 13,6 | ||
Qgs | Tor-Quellgebühr | --- | 1,6 | 2,2 | ||
Qgd | Tor-Abfluss-Gebühr | --- | 1,7 | 2,4 | ||
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDD=50V, VGS=10V, RG=3.3 ID=1A |
--- | 1,6 | 3,2 |
ns |
Tr | ||||||
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | --- | 13,6 | 27 | ||
Tf | Abfallzeit | --- | 19 | 38 | ||
Ciss | Input-Kapazitanz | --- | 508 | 711 | ||
Coss | Ausgangskapazität | --- | 29 | 41 | ||
Crss | Rückübergangskapazitanz | --- | 16,4 | 23 | ||
IST | Ununterbrochener Quellstrom 1,4 | VG=VD=0V, Kraft-Strom | --- | --- | 1,2 | A |
THEORIE | Pulsierter Quellstrom 2,4 | --- | --- | 5 | A | |
VSD | Diode schicken Voltage2 nach | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1,2 | V |
trr | Rückgenesungszeit | IF=1A, dI/dt=100A/µs, | --- | 14 | --- | nS |
Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | --- | 9,3 | --- | nC |
Anmerkung:
Daten 1.The prüften durch die Oberfläche, die an einem Brett 1 Zoll FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde. Daten 2.The prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦300us, Arbeitszyklus ≦2%
Verlustleistung 3.The wird durch 150 ℃ Grenzschichttemperatur begrenzt
4. Die Daten sind theoretisch die selben, die Identifikation und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.
Symbol |
Maße in den Millimeter | |
MIN. | MAXIMUM. | |
A | 0,900 | 1,150 |
A1 | 0,000 | 0,100 |
A2 | 0,900 | 1,050 |
b | 0,300 | 0,500 |
c | 0,080 | 0,150 |
D | 2,800 | 3,000 |
E | 1,200 | 1,400 |
E1 | 2,250 | 2,550 |
e | 0.950TYPE | |
e1 | 1,800 | 2,000 |
L | 0.550REF | |
L1 | 0,300 | 0,500 |
θ | 0° | 8° |
Aufmerksamkeit
1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.
2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.
3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.
4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.
5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.
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7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.
8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.
Ansprechpartner: David