Produktdetails:
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Produktname: | Feld-Effekt-Transistor | V DSS-Abfluss-Quellspannung: | 40V |
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V GSS-Tor-Quellspannung: | ±20 V | Maximale Grenzschichttemperatur T J: | °C 175 |
Lagertemperaturbereich T STG: | °C -55 bis 150 | I s-Quelle Gegenwärtig-ununterbrochen (Körper-Diode): | 250A |
Markieren: | Logik mosfet-Schalter,mosfet-Fahrer |
Zuverlässiger und schroffer Feld-Effekt-Transistor/Hochfrequenzmosfet
Feld-Effekt-Transistor-Eigenschaft
40V/250A
R DS (AN) = m- (Art.) @ V GS =10V
Lawine 100% geprüft
Reliableand schroff
Führung FreeandGreenDevicesAvailable
(RoHSCompliant)
Feld-Effekt-Transistor-Anwendungen
Schaltungsanwendung
Energie-Management für Inverter-Systeme
Absolute Maximalleistungen
Ansprechpartner: David