Produktdetails:
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Vorbildliches Number:: | AP2308GEN | Bedingung:: | neu und ursprünglich |
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Art:: | Fahren Sie IC | Anwendung:: | Elektronische Produkte |
D/C:: | Neu | Datenblatt:: | pls treten mit uns in Verbindung |
Markieren: | Leistungstransistor Mosfet-SOT-23,Leistungstransistor Mosfet-3.6A,Transistor MOSFET-0.69W |
Vorteils-Preis des elektronischen Bauelement-AP2308GEN SOT-23 für Stammaktie
Beschreibung
Moderne Energie MOSFETs verwendeten moderne Verfahrenstechniken, um den niedrigsten möglichen Aufwiderstand, extrem leistungsfähig und Wirtschaftlichkeitsgerät zu erzielen.
Das SOT-23S Paket wird weit für Handels-industrielle Oberflächenberganwendungen bevorzugt und entsprochen für Niederspannungsanwendungen wie DC-/DCkonverter.
Absolutes maximales Ratings@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
ID@TA =25℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 1,2 | |
ID@TA =70℃ | Lassen Sie Strom3, VGS @ 4.5V ab | 1 | |
IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 3,6 | |
PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung | 0,69 | W |
TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Daten
Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 180 | ℃/W |
AP2308GE
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =1.2A | - | - | 600 | mΩ |
VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =0.3A | - | - | 2 | Ω | ||
VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,5 | - | 1,25 | V |
gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =5V, IDENTIFIKATION =1.2A | - | 1 | - | S |
IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =20V, VGS =0V | - | - | 1 | MA |
IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +30 | MA |
Qg | Gesamttor-Gebühr |
IDENTIFIKATION =1.2A VDS =16V VGS =4.5V |
- | 1,2 | 2 | nC |
Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 0,4 | - | nC | |
Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 0,3 | - | nC | |
TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDS =10V IDENTIFIKATION =1.2A RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 17 | - | ns |
tr | Anstiegszeit | - | 36 | - | ns | |
TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 76 | - | ns | |
tf | Abfallzeit | - | 73 | - | ns | |
Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VGS =0V .VDS =10V f=1.0MHz |
- | 37 | 60 | PF |
Coss | Ausgangskapazität | - | 17 | - | PF | |
Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 13 | - | PF |
Quelle-Abfluss-Diode
Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse
3.Surface brachte an 1 in kupferne Auflage2 FR4 des Brettes, t<> 10s an; 400℃/W, als an der min. kupfernen Auflage anbrachte.
Einzelteile: Neues AP2308GEN
Teilnummer: AP2308GEN
Paket: Elektronische Bauelemente
Elektronische Bauelemente: AP2308GEN
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Ansprechpartner: David