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Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

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Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N
Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Großes Bild :  Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP7H03DF
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

Beschreibung
Produkt-Name: Hochfrequenzschalttransistor Modell: AP7H03DF
Satz: DFN3*3-8L Markierung: AP7H03DF XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 30V VGSGate-Sou rce Voltage: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Hochfrequenz AP7H03DF 7A 30V DFN33 N

 

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Beschreibung:

 

Das AP7H03DF ist der Graben der höchsten Leistung
MOSFETs N-ch mit extremer hoher Zelldichte,
welche ausgezeichnetes RDSON liefern und Gebühr mit einem Gatter versehen
für die meisten der kleinen Energieschaltung und
Lastsschalteranwendungen. Das Treffen das RoHS und
Produktanforderung mit der vollen Funktionszuverlässigkeit genehmigt.

 

N-Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-Eigenschaften

 

VDS = 30V IDENTIFIKATION = 7A
RDS (AN) < 18m=""> RDS (AN) < 30m="">

 

Details

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor werden in vielen Anwendungen der Stromversorgung und der Generalvollmacht, besonders als Schalter benutzt. Variante s umfassen planare MOSFETs, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs und andere verschiedene Markennamen.


Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP7H03DF DFN3*3-8L AP7H03DF XXX YYYY 5000

 

Absolute Maximalleistungen (TA =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

 

Symbol Parameter Veranschlagen Einheiten
V DS Abfluss-Quellspannung 30 V
V GS Tor-Sou rce Spannung ±20 V
℃ Identifikation @TC=25 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 7 A
℃ Identifikation @TC=100 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 5 A
℃ Identifikation @TA=25 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 6,4 A
℃ Identifikation @TA=70 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 6 A
IDM Pulsierter Abfluss-Strom 2 56 A
EAS Einzelimpuls-Lawinen-Energie 3 22,1 mJ
IAS Lawinen-Strom 21 A
℃ P D@TC =25 Gesamtleistungs-Ableitung 4 20,8 W
℃ P D@TA =25 Gesamtleistungs-Ableitung 4 1,67 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150
RθJA Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 75 ℃/W
RθJC Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 6 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften (℃ TJ =25, wenn nicht anders vermerkt)

 

 

Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BV DSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V GS=0V, I D=250uA 30 --- --- V
△BV DSS/△TJ BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25 ℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃

 

RDS (AN)

 

Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand 2

V GS=10V, ID=10A --- --- 18

 

V GS=4.5V, ID=5A --- --- 30
V GS (Th) Tor-Schwellen-Spannung V GS=V DS, IDENTIFIKATION =250UA 1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) V Temperatur-Koeffizient GS (Th)   --- -5,1 --- mV/℃
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom V DS=24V, V GS=0V, ℃ TJ =25 --- --- 1 MA
V DS=24V, V GS=0V, ℃ TJ =55 --- --- 5
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom V GS = ±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance V DS=5V, ID=10A --- 4,5 --- S
Rg Tor-Widerstand V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz --- 2,5 --- Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (4.5V)   --- 7,2 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 1,4 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 2,2 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

V DD=12V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=5A

--- 4,1 ---

 

ns

Tr        
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 15,5 ---
Tf Abfallzeit --- 6,0 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 572 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 81 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 65 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5 V zwingen G=V D=0V, Strom --- --- 28 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,5 --- --- 56 A
V SD Dioden-Vorwärtsspannung 2 V GS=0V, I S=1A, ℃ TJ =25 --- --- 1,2 V
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BV DSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V GS=0V, I D=250uA 30 --- --- V
△BV DSS/△TJ BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25 ℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃

 

RDS (AN)

 

Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand 2

V GS=10V, ID=10A --- --- 18

 

V GS=4.5V, ID=5A --- --- 30
V GS (Th) Tor-Schwellen-Spannung V GS=V DS, IDENTIFIKATION =250UA 1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) V Temperatur-Koeffizient GS (Th)   --- -5,1 --- mV/℃
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom V DS=24V, V GS=0V, ℃ TJ =25 --- --- 1 MA
V DS=24V, V GS=0V, ℃ TJ =55 --- --- 5
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom V GS = ±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance V DS=5V, ID=10A --- 4,5 --- S
Rg Tor-Widerstand V DS=0V, V GS=0V, f=1MHz --- 2,5 --- Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (4.5V)   --- 7,2 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 1,4 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 2,2 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

V DD=12V, V GS=10V,

RG=3.3

ID=5A

--- 4,1 ---

 

ns

Tr        
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 15,5 ---
Tf Abfallzeit --- 6,0 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 572 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 81 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 65 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5 V zwingen G=V D=0V, Strom --- --- 28 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,5 --- --- 56 A
V SD Dioden-Vorwärtsspannung 2 V GS=0V, I S=1A, ℃ TJ =25 --- --- 1,2 V

 

Anmerkung:

 

Daten 1.The prüften durch die Oberfläche, die an einem Brett 1 Zoll FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.

Daten 2.The prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%

Daten 3.The EAS zeigen max. Bewertung. Die Testbedingung ist V DD =25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=21A

Verlustleistung 4.The wird durch 150℃ Grenzschichttemperatur begrenzt

Daten 5.The sind theoretisch die selben, die I D und I DM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

1, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

2, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

3, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

4, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

5, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

, Sind irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen

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